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氧化亞硅SiOx膨脹遠(yuǎn)小于納米硅，高于石墨，需減少膨脹使SiOx循環(huán)中破碎和粉化，提高循環(huán)性及倍率性。為提高SiOx首次效率，研制Si-SiOx-C復(fù)合碳硅，使亞硅外包覆碳，提高綜合性能，在0.06C下容量達(dá)1660mAh/g，首次效率達(dá)82%，1C循環(huán)1500次，容量達(dá)88%。
負(fù)極三元材料生產(chǎn)制備技術(shù)工藝優(yōu)勢：碳包覆亞硅表面改性，提高流動性、電導(dǎo)率、首次效率、容量率、電化學(xué)及循環(huán)壽命，低膨脹率等。
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